














STGF7NC60HD 系列 N 沟道 600 V 6 A 极快 PowerMesh IGBT - TO-220FP
IGBT 分立,STMicroelectronics
### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics
绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
欧时:
STMicroelectronics IGBT, STGF7NC60HD, 3引脚, TO-220FP封装, Vce=600 V, 10 A, ±20V
得捷:
IGBT 600V 10A 25W TO220FP
立创商城:
STGF7NC60HD
贸泽:
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
富昌:
STGF7NC60HD Series N-Channel 600 V 6 A Very Fast PowerMESH IGBT - TO-220FP
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: IGBT; 600V; 14A; 25W; TO220FP
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
DeviceMart:
IGBT N-CHAN 10A 600V TO220FP
Win Source:
IGBT 600V 10A 25W TO220FP
额定电压DC 600 V
额定电流 6.00 A
额定功率 25 W
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
上升时间 8.50 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 37 ns
额定功率Max 25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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