STGF19NC60KD

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STGF19NC60KD概述

20 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

IGBT - 600 V 16 A 32 W 通孔 TO-220FP


得捷:
IGBT 600V 16A 32W TO220FP


立创商城:
32W 600V 16A


艾睿:
The STGF19NC60KD IGBT transistor from STMicroelectronics will work effectively even with higher currents. Its maximum power dissipation is 32000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


DeviceMart:
IGBT 600V 16A 32W TO220FP


Win Source:
IGBT 600V 16A 32W TO220FP


STGF19NC60KD中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 32 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 31 ns

额定功率Max 32 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 32000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

宽度 4.6 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGF19NC60KD
型号: STGF19NC60KD
描述:20 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

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