STGP19NC60WD

STGP19NC60WD图片1
STGP19NC60WD图片2
STGP19NC60WD图片3
STGP19NC60WD图片4
STGP19NC60WD图片5
STGP19NC60WD图片6
STGP19NC60WD图片7
STGP19NC60WD图片8
STGP19NC60WD概述

N沟道600V - 19A - TO- 220 - TO- 247超高速IGBT PowerMESH⑩ N-channel 600V - 19A - TO-220 - TO-247 Ultra fast PowerMESH⑩ IGBT

You won"t need to worry about any lagging in your circuit with this IGBT transistor from STMicroelectronics. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 125000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

STGP19NC60WD中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 125000 mW

上升时间 7.00 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 31 ns

额定功率Max 125 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGP19NC60WD
型号: STGP19NC60WD
描述:N沟道600V - 19A - TO- 220 - TO- 247超高速IGBT PowerMESH⑩ N-channel 600V - 19A - TO-220 - TO-247 Ultra fast PowerMESH⑩ IGBT
替代型号STGP19NC60WD
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGP19NC60WD

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STGP19NC60HD

意法半导体

类似代替

STGP19NC60WD和STGP19NC60HD的区别

146285-2

泰科

功能相似

STGP19NC60WD和146285-2的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台