STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
IGBT 分立,STMicroelectronics
### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics
绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
欧时:
STMicroelectronics STGF10NB60SD N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
立创商城:
STGF10NB60SD
得捷:
IGBT 600V 23A 25W TO220FP
贸泽:
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp
e络盟:
单晶体管, IGBT, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
Win Source:
IGBT 600V 23A 25W TO220FP
额定电压DC 600 V
额定电流 10.0 A
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 460 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 37 ns
额定功率Max 25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 20 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99