STGW30H65FB

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STGW30H65FB概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 260 W 通孔 TO-247


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IGBT 650V 30A 260W TO-247


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STGW30H65FB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 260 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 260 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 260000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGW30H65FB
型号: STGW30H65FB
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube
替代型号STGW30H65FB
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