STGB20NB32LZ

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STGB20NB32LZ概述

N沟道固支20A - D2PAK / I2PAK内部钳位的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH TM IGBT

IGBT 375V 40A 150W Surface Mount D2PAK


得捷:
IGBT 375V 40A 150W I2PAK


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 325V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK


STGB20NB32LZ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 2.00 V

额定电流 20.0 A

上升时间 600 ns

击穿电压集电极-发射极 375 V

额定功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买STGB20NB32LZ
型号: STGB20NB32LZ
描述:N沟道固支20A - D2PAK / I2PAK内部钳位的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH TM IGBT
替代型号STGB20NB32LZ
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGB20NB32LZ

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STGB20NB32LZT4

意法半导体

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