STGB8NC60KDT4

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STGB8NC60KDT4概述

IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立,STMicroelectronics


得捷:
IGBT 600V 15A 65W D2PAK


欧时:
IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**IGBT 600V 8A 2.2V TO263-3 **


Win Source:
IGBT 600V 15A 65W D2PAK


STGB8NC60KDT4中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 65000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 23.5 ns

额定功率Max 65 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 65000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STGB8NC60KDT4引脚图与封装图
STGB8NC60KDT4引脚图
STGB8NC60KDT4封装图
STGB8NC60KDT4封装焊盘图
在线购买STGB8NC60KDT4
型号: STGB8NC60KDT4
描述:IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
替代型号STGB8NC60KDT4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGB8NC60KDT4

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

IRG4BC20KDSTRLP

英飞凌

功能相似

STGB8NC60KDT4和IRG4BC20KDSTRLP的区别

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