








IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT 分立,STMicroelectronics
得捷:
IGBT 600V 15A 65W D2PAK
欧时:
IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**IGBT 600V 8A 2.2V TO263-3 **
Win Source:
IGBT 600V 15A 65W D2PAK
耗散功率 65000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 23.5 ns
额定功率Max 65 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 65000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STGB8NC60KDT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IRG4BC20KDSTRLP 英飞凌 | 功能相似 | STGB8NC60KDT4和IRG4BC20KDSTRLP的区别 |