STGW30NC60KD

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STGW30NC60KD概述

STGW30NC60KD 系列 600 V 28 A 短路 耐用型 IGBT 法兰安装 - TO-247-3

IGBT 分立,STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


欧时:
STMicroelectronics STGW30NC60KD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装


立创商城:
STGW30NC60KD


得捷:
IGBT 600V 60A 200W TO247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-247


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STGW30NC60KD  IGBT Single Transistor, 60 A, 600 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins


儒卓力:
**IGBT 600V 60A 2.7V TO247-3 **


DeviceMart:
IGBT N-CH 30A 600V TO-247


STGW30NC60KD中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 40 ns

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 24.45 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGW30NC60KD
型号: STGW30NC60KD
描述:STGW30NC60KD 系列 600 V 28 A 短路 耐用型 IGBT 法兰安装 - TO-247-3
替代型号STGW30NC60KD
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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