SGH30N60RUFDTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 30.0 A
耗散功率 235000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 95 ns
额定功率Max 235 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 235000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
高度 18.9 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SGH30N60RUFDTU
型号： SGH30N60RUFDTU
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 235000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Rail