SGF80N60UFTU参数规格_中文资料_数据手册PDF

SGF80N60UFTU概述

IGBT 晶体管 Discrete Hi-P IGBT

IGBT 600V 80A 110W Through Hole TO-3PF

得捷:
IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL

贸泽:
IGBT 晶体管 Discrete Hi-P IGBT

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail

SGF80N60UFTU中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 40.0 A

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 110 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.7 mm

宽度 5.7 mm

高度 16.7 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SGF80N60UFTU

型号： SGF80N60UFTU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：IGBT 晶体管 Discrete Hi-P IGBT