STGD7NB60KT4参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGD7NB60KT4概述

N沟道600V - 7A - TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 7A - TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

IGBT 600V 14A 70W Surface Mount DPAK

得捷:
IGBT 600V 14A 70W DPAK

贸泽:
IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 7 Amp

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
IGBT 600V 14A 70W DPAK

STGD7NB60KT4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 7.00 A

耗散功率 70 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 70 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 70 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买STGD7NB60KT4

型号： STGD7NB60KT4

描述：N沟道600V - 7A - TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 7A - TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

替代型号STGD7NB60KT4

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STGD7NB60KT4 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STGD3NB60HDT4 意法半导体	类似代替	STGD7NB60KT4和STGD3NB60HDT4的区别
FGB20N6S2D 飞兆/仙童	功能相似	STGD7NB60KT4和FGB20N6S2D的区别
SGS23N60UFDTU 飞兆/仙童	功能相似	STGD7NB60KT4和SGS23N60UFDTU的区别