SGH10N60RUFDTU概述
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3Pin3+Tab TO-3PN Rail
IGBT 600V 16A 75W Through Hole TO-3PN
得捷:
IGBT, 16A, 600V, N-CHANNEL
贸泽:
IGBT Transistors Dis Short Circuit Rated IGBT
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
SGH10N60RUFDTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 10.0 A
耗散功率 75 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 60 ns
额定功率Max 75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
高度 18.9 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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