IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT 分立，STMicroelectronics
得捷:
IGBT 1200V 15A TO247-3L
欧时:
### IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
e络盟:
单晶体管, IGBT, 30 A, 1.55 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
针脚数 3
耗散功率 259 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 270 ns
额定功率Max 259 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 259 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.9 mm
宽度 5.1 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99