STGB20NC60VT4参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGB20NC60VT4概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

IGBT 600V 60A 200W Surface Mount D2PAK

得捷:
IGBT 600V 60A 200W D2PAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

STGB20NC60VT4中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： STGB20NC60VT4

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R