STGB35N35LZT4

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STGB35N35LZT4概述

Trans IGBT Chip N-CH 380V 40A 176000mW Automotive 3Pin2+Tab D2PAK T/R

Don"t be afraid to step up the amps in your device when using this IGBT transistor from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 176000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 380 V. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.

STGB35N35LZT4中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 176000 mW

击穿电压集电极-发射极 345 V

额定功率Max 176 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 176000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGB35N35LZT4
型号: STGB35N35LZT4
描述:Trans IGBT Chip N-CH 380V 40A 176000mW Automotive 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号STGB35N35LZT4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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