STGWA40S120DF3

STMICROELECTRONICS  STGWA40S120DF3  晶体管, IGBT, TO247

IGBT 分立，STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

欧时:
IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

得捷:
IGBT 1200V 40A TO247-3L

贸泽:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low drop

e络盟:
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.65 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Win Source:
IGBT 1200V 40A TO247-3L / IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 468 W Through Hole TO-247-3