STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 引脚
IGBT 分立,STMicroelectronics
### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics
绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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STGB10M65DF2
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IGBT 650V 10A D2PAK
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e络盟:
单晶体管, IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263 D2PAK, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
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IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3
儒卓力:
**IGBT 650V 10A 1,55V D2PAK **
Win Source:
IGBT 650V 10A D2PAK / IGBT Trench Field Stop 650 V 20 A 115 W Surface Mount D²PAK TO-263
针脚数 3
耗散功率 115 W
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 96 ns
额定功率Max 115 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99