STGWA30N120KD

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STGWA30N120KD概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 220000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT - 1200 V 60 A 220 W 通孔 TO-247


得捷:
IGBT 1200V 60A 220W TO247


贸泽:
IGBT Transistors 30A 1200V short circuit rugged IGBT


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


STGWA30N120KD中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 220000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 84 ns

额定功率Max 220 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 220000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGWA30N120KD
型号: STGWA30N120KD
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 220000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

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