STGW60V60DLF概述
IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT 分立，STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics STGW60V60DLF N沟道 IGBT, Vce=600 V, 60 A, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
得捷:
IGBT BIPO 600V 60A TO247
贸泽:
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
艾睿:
600 V, 60 A VERY HIGH SPEED TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-247
Win Source:
IGBT BIPO 600V 60A TO247 / IGBT
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型号： STGW60V60DLF
描述：IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。