STGPL6NC60DI

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STGPL6NC60DI概述

STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

IGBT - 600 V 14 A 56 W 通孔 TO-220FP


得捷:
IGBT 600V 14A 56W TO-220


艾睿:
This powerful and secure STGPL6NC60DI IGBT transistor from STMicroelectronics will make sure your circuit works properly. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 56000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 56000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


DeviceMart:
IGBT 600V 14A 56W TO-220


Win Source:
IGBT 600V 14A 56W TO-220


STGPL6NC60DI中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 56000 mW

输入电容 208 pF

击穿电压集电极-发射极 600 V

热阻 62.5 ℃/W

反向恢复时间 23 ns

额定功率Max 56 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 56000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGPL6NC60DI
型号: STGPL6NC60DI
描述:STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

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