STGWA15H120DF2

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STGWA15H120DF2概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

This IGBT transistor from STMicroelectronics is perfect if your circuit contains high currents passing through it.


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STGWA15H120DF2


得捷:
IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3


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IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar


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Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed


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IGBT & POWER BIPOLAR


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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Win Source:
IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3 / IGBT Trench Field Stop 1200 V 30 A 259 W Through Hole TO-247-3


STGWA15H120DF2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 259 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 231 ns

额定功率Max 259 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 259000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGWA15H120DF2
型号: STGWA15H120DF2
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

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