STGW80H65FB-4参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGW80H65FB-4概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 4Pin4+Tab TO-247 Tube

IGBT 沟槽型场截止通孔 TO-247-4L

得捷:
IGBT BIPO 650V 80A TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 4-Pin4+Tab TO-247 Tube

STGW80H65FB-4中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 469000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 469 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 469000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-247-4

外形尺寸

封装 TO-247-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGW80H65FB-4

型号： STGW80H65FB-4

描述：Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 4Pin4+Tab TO-247 Tube