SMUN5113T1G

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SMUN5113T1G概述

数字晶体管( BRT ) R1 = 47千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 47 k, R2 = 47 k

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 SOT323


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3


立创商城:
SMUN5113T1G


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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R


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Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3


SMUN5113T1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 202 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SMUN5113T1G
型号: SMUN5113T1G
描述:数字晶体管( BRT ) R1 = 47千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 47 k, R2 = 47 k
替代型号SMUN5113T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SMUN5113T1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

RN2304TE85L,F

东芝

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