STMICROELECTRONICS STGF3NC120HD 单晶体管, IGBT, 6 A, 2.8 V, 25 W, 1.2 kV, TO-220FP, 3 引脚
IGBT 分立,STMicroelectronics
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绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
立创商城:
25W 1200V 6A
欧时:
STMicroelectronics STGF3NC120HD N沟道 IGBT, Vce=1200 V, 6 A, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
得捷:
IGBT 1200V 6A 25W TO220FP
贸泽:
IGBT Transistors N-Ch 1200 Volt 3 Amp
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6A 25000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
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IGBT Single Transistor, 6 A, 2.8 V, 25 W, 1.2 kV, TO-220FP, 3
儒卓力:
**IGBT 1200V 7A TO220FP-3 **
力源芯城:
6A,1200V,快速IGBT带超快二极管
DeviceMart:
IGBT N-CHAN 6A 1200V TO220FP
Win Source:
IGBT 1200V 6A 25W TO220FP
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 3.00 A
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
输入电容 470 pF
上升时间 3.50 ns
击穿电压集电极-发射极 1200 V
热阻 62.5 ℃/W
反向恢复时间 51 ns
额定功率Max 25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, Power Management, 照明, Consumer Electronics, Consumer Electronics, Lighting, Power Management, 电源管理, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99