STGW80H65DFB-4

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STGW80H65DFB-4概述

IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

IGBT 沟槽型场截止 通孔 TO-247-4L


得捷:
IGBT BIPO 650V 80A TO247


贸泽:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 4-Pin4+Tab TO-247 Tube


Win Source:
IGBT BIPO 650V 80A TO247 / IGBT Trench Field Stop 650 V 120 A 469 W Through Hole TO-247-4


STGW80H65DFB-4中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 469000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 85 ns

额定功率Max 469 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 469000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-247-4

外形尺寸

封装 TO-247-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGW80H65DFB-4
型号: STGW80H65DFB-4
描述:IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

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