IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT 分立,STMicroelectronics
得捷:
IGBT 600V 20A 65W D2PAK
欧时:
STMicroelectronics STGB10NC60HDT4 N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
IGBT Transistors N Ch 10A 600V
e络盟:
单晶体管, IGBT, 10 A, 2.5 V, 65 W, 600 V, TO-263 D2PAK, 3 引脚
艾睿:
This STGB10NC60HDT4 IGBT transistor from STMicroelectronics is an electronic switch that can handle large currents with very little gate current drive. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 65000 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STGB10NC60HD 系列 600 V 10 A 表面贴装 超快 IGBT - D2PAK-3
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 65 W
上升时间 5.00 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 22 ns
额定功率Max 65 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 65 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, Power Management, Motor Drive & Control, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99