SGW5N60RUFDTM参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SGW5N60RUFDTM概述

IGBT 晶体管

IGBT 600V 8A 60W Surface Mount D²PAK

得捷:
N-CHANNEL IGBT

贸泽:
IGBT 晶体管

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

SGW5N60RUFDTM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 5.00 A

耗散功率 60 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 55 ns

额定功率Max 60 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SGW5N60RUFDTM

型号： SGW5N60RUFDTM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：IGBT 晶体管