SGS5N60RUFDTU概述
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 35000mW 3Pin3+Tab TO-220F Rail
IGBT 600V 8A 35W Through Hole TO-220F-3
得捷:
IGBT, 8A, 600V, N-CHANNEL
贸泽:
IGBT Transistors 600V/5A/w/FRD
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
SGS5N60RUFDTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 5.00 A
耗散功率 35 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 55 ns
额定功率Max 35 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 35000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SGS5N60RUFDTU
型号： SGS5N60RUFDTU
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 35000mW 3Pin3+Tab TO-220F Rail