SGW23N60UFDTM参数规格_中文资料_数据手册PDF

SGW23N60UFDTM概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D²PAK

得捷:
N-CHANNEL IGBT

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

SGW23N60UFDTM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 12.0 A

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SGW23N60UFDTM

型号： SGW23N60UFDTM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

替代型号SGW23N60UFDTM