SGW10N60RUFDTM

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SGW10N60RUFDTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 10.0 A

耗散功率 75000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SGW10N60RUFDTM
型号: SGW10N60RUFDTM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

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