SGH80N60UFTU

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SGH80N60UFTU概述

IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT

General Description

"s UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors IGBTs provides low conduction and switching losses.

The UF series is designed for applications such as motor control and general inverters where high speed switching is a required feature.

Features

• High speed switching

• Low saturation voltage : VCEsat= 2.1 V @ IC = 40A

• High input impedance

Applications

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

SGH80N60UFTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 40.0 A

耗散功率 195 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 195 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 195000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 5 mm

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SGH80N60UFTU
型号: SGH80N60UFTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT
替代型号SGH80N60UFTU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SGH80N60UFTU

Fairchild 飞兆/仙童

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FGH40N60UFTU

飞兆/仙童

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SGH80N60UFTU和FGH40N60UFTU的区别

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