SGH40N60UFDM1TU

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SGH40N60UFDM1TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 20.0 A

耗散功率 160000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 160 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SGH40N60UFDM1TU
型号: SGH40N60UFDM1TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Rail

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