SGH30N60RUFTU参数规格_中文资料_数据手册PDF

SGH30N60RUFTU概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 235000mW 3Pin3+Tab TO-3P Rail

IGBT 600V 48A 235W Through Hole TO-3PN

得捷:
IGBT, 48A, 600V, N-CHANNEL

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin3+Tab TO-3P Rail

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin3+Tab TO-3P Rail

SGH30N60RUFTU中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 30.0 A

耗散功率 235000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 235 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 235000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 19.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SGH30N60RUFTU

型号： SGH30N60RUFTU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 235000mW 3Pin3+Tab TO-3P Rail