SMBT2222AE6327HTSA1

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SMBT2222AE6327HTSA1概述

低集电极 - 发射极饱和电压 Low collector-emitter saturation voltage

通用 NPN ,


欧时:
Infineon SMBT2222AE6327HTSA1 , NPN 双极晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:100, 300(最小)MHz, 3引脚 SOT-23封装


得捷:
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 330 mW, 600 mA, 100 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# INFINEON  SMBT2222AE6327HTSA1  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 40 V, 300 MHz, 330 mW, 600 mA, 100 hFE


Win Source:
TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23


SMBT2222AE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 40.0 V

额定电流 600 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 330 mW

增益频宽积 300 MHz

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 330 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SMBT2222AE6327HTSA1
型号: SMBT2222AE6327HTSA1
描述:低集电极 - 发射极饱和电压 Low collector-emitter saturation voltage
替代型号SMBT2222AE6327HTSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SMBT2222AE6327HTSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

MMBT2222ALT1HTSA1

英飞凌

完全替代

SMBT2222AE6327HTSA1和MMBT2222ALT1HTSA1的区别

SMBT2222AE6327

英飞凌

完全替代

SMBT2222AE6327HTSA1和SMBT2222AE6327的区别

FMMT2222ATA

威世

类似代替

SMBT2222AE6327HTSA1和FMMT2222ATA的区别

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