STGP3NB60KD参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGP3NB60KD概述

N沟道3A - 600V - TO- 220 / DPAK / D2PAK PowerMESH⑩ IGBT N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT

IGBT - 600 V 10 A 50 W 通孔 TO-220AB

得捷:
IGBT 600V 10A 50W TO220

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220

STGP3NB60KD中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 6.00 A

耗散功率 50.0 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 45 ns

额定功率Max 50 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： STGP3NB60KD

描述：N沟道3A - 600V - TO- 220 / DPAK / D2PAK PowerMESH⑩ IGBT N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT