STGB3NB60KDT4概述
N沟道6A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK防短路的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 6A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH TM IGBT
IGBT - 表面贴装型 D2PAK
得捷:
IGBT 600V 10A 50W D2PAK
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 50000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
STGB3NB60KDT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 6.00 A
耗散功率 50000 mW
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 45 ns
额定功率Max 50 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买STGB3NB60KDT4
型号： STGB3NB60KDT4
描述：N沟道6A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK防短路的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 6A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH TM IGBT