STGD3NB60HDT4参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGD3NB60HDT4概述

N沟道6A - 600V - DPAK封装的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT

IGBT - 表面贴装型 DPAK

得捷:
IGBT 600V 10A 50W DPAK

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

STGD3NB60HDT4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 6.00 A

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 95 ns

额定功率Max 50 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGD3NB60HDT4

型号： STGD3NB60HDT4

描述：N沟道6A - 600V - DPAK封装的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT

替代型号STGD3NB60HDT4

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STGD3NB60HDT4 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STGD7NB60KT4 意法半导体	类似代替	STGD3NB60HDT4和STGD7NB60KT4的区别
FGB20N6S2D 飞兆/仙童	功能相似	STGD3NB60HDT4和FGB20N6S2D的区别
HGT1S7N60C3D 飞兆/仙童	功能相似	STGD3NB60HDT4和HGT1S7N60C3D的区别