STGD10NC60KT4

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STGD10NC60KT4概述

N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

IGBT - 表面贴装型 DPAK


得捷:
IGBT 600V 20A 60W DPAK


贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


STGD10NC60KT4中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 60000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 60 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGD10NC60KT4
型号: STGD10NC60KT4
描述:N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

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