STGD3NB60SD-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGD3NB60SD-1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48000mW 3Pin2+Tab DPAK Tube

IGBT - 表面贴装型 DPAK

得捷:
IGBT 600V 6A 48W DPAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48000mW 3-Pin2+Tab DPAK Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin2+Tab DPAK Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin2+Tab DPAK Tube

STGD3NB60SD-1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 48000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 1.7 µs

额定功率Max 48 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 48000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGD3NB60SD-1

型号： STGD3NB60SD-1

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48000mW 3Pin2+Tab DPAK Tube