STGD7NB120S-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGD7NB120S-1概述

N沟道7A - 1200V IPAK功率IGBT MESH N-CHANNEL 7A - 1200V IPAK Power MESH IGBT

IGBT - 通孔 I-PAK

得捷:
IGBT 1200V 10A 55W IPAK

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 10A 3-Pin3+Tab IPAK

STGD7NB120S-1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 55 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGD7NB120S-1

型号： STGD7NB120S-1

描述：N沟道7A - 1200V IPAK功率IGBT MESH N-CHANNEL 7A - 1200V IPAK Power MESH IGBT