S1D-E3/61T

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S1D-E3/61T概述

VISHAY  S1D-E3/61T  标准二极管, 1A, 200V, DO-214AC, 整卷

**Features:**

* Very Low Profile

* Ideal for Automated Placement

* Glass Passivated Chip Junction

* Low Forward Voltage Drop

* Low Leakage Current

* High Forward Surge Capability

* Meets MSL level 1, Per J-STD-020, LF Maximum Peak of 260°C

* Solder Dip 260°C, 40 s

* Component in Accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC


得捷:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC


欧时:
### 标准恢复整流器,1A,高达 450V采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor


艾睿:
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R


Allied Electronics:
S1D-E3/61T, SMT Diode, 200V 1A, 1800ns, 2-Pin DO-214AC


安富利:
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R


富昌:
1 A、200 V、表面贴装 玻璃钝化 整流器、DO-214AA


Chip1Stop:
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R


TME:
Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; DO214AC


Newark:
# VISHAY  S1D-E3/61T  Standard Recovery Diode, 200 V, 1 A, Single, 1.1 V, 1.8 µs, 40 A


S1D-E3/61T中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 1.00 A

电容 12.0 pF

输出电流 ≤1.00 A

负载电流 1 A

针脚数 2

正向电压 1.1 V

极性 Standard

反向恢复时间 1.8 µs

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 40 A

正向电压Max 1.1 V

正向电流Max 1 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AC

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.79 mm

高度 2.087 mm

封装 DO-214AC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买S1D-E3/61T
型号: S1D-E3/61T
描述:VISHAY  S1D-E3/61T  标准二极管, 1A, 200V, DO-214AC, 整卷
替代型号S1D-E3/61T
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