STMICROELECTRONICS STGE200NB60S 单晶体管, IGBT, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚
IGBT 分立,STMicroelectronics
### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics
绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
得捷:
IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP
欧时:
IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
贸泽:
IGBT 模块 N-Ch 600 Volt 150Amp
艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600000mW 4-Pin ISOTOP Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 4-Pin ISOTOP Tube
富昌:
STGE200NB60S 系列 N 沟道 600 V 200 A 低压差 低功耗MESH IGBT - ISOTOP
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 4-Pin ISOTOP Tube
TME:
Urmax:600V; Ic:150A; P:600W; Ifsm:400A; ISOTOP; screw; screw
Verical:
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600000mW 4-Pin ISOTOP Tube
Newark:
IGBT Single Transistor, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins
额定电压DC 600 V
额定电流 150 A
额定功率 600 W
针脚数 4
极性 N-Channel
耗散功率 600 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 200 A
上升时间 112 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 1.56nF @25V
额定功率Max 600 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600000 mW
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
长度 38.2 mm
宽度 25.5 mm
高度 9.1 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, Power Management, Motor Drive & Control, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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