SKB15N60 E8151参数规格_中文资料_数据手册PDF

SKB15N60 E8151概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin2+Tab TO-263 T/R

IGBT NPT 600 V 31 A 139 W 表面贴装型 PG-TO263-3-2

得捷:
IGBT 600V 31A 139W TO263-3

贸泽:
IGBT Transistors Fast IGBT NPT Soft anti-parallel EmCon

Win Source:
IGBT 600V 31A 139W TO263-3

SKB15N60 E8151中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 279 ns

额定功率Max 139 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SKB15N60 E8151

型号： SKB15N60 E8151

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin2+Tab TO-263 T/R