SBC857BDW1T1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

SBC857BDW1T1G概述

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 45V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

欧时:
ON Semiconductor, SBC857BDW1T1G

得捷:
TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88/SC70-6

立创商城:
SBC857BDW1T1G

艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R

SBC857BDW1T1G中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.38 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 380 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SBC857BDW1T1G

型号： SBC857BDW1T1G

描述：双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

替代型号SBC857BDW1T1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SBC857BDW1T1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
NSVT45010MW6T1G 安森美	完全替代	SBC857BDW1T1G和NSVT45010MW6T1G的区别
NST45010MW6T1G 安森美	功能相似	SBC857BDW1T1G和NST45010MW6T1G的区别
BC857BS-13-F 美台	功能相似	SBC857BDW1T1G和BC857BS-13-F的区别