VISHAY S1J-E3/61T 标准二极管, 1A, 600V, DO-214AC
**Features:**
* Low Profile Package
* Ideal for Automated Placement
* Glass Passivated Chip Junction
* Low Forward Voltage Drop
* Low Leakage Current
* High Forward Surge Capability
* Meets MSL level 1, Per J-STD-020, LF Maximum Peak of 260°C
* Solder Dip 260°C, 40 s
* Component in Accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC
得捷:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
欧时:
### 标准恢复整流器,1A,超过 450V采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor
e络盟:
VISHAY S1J-E3/61T 标准二极管, 1A, 600V, DO-214AC
艾睿:
Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
安富利:
Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
富昌:
1 A、600 V、表面贴装、玻璃钝化 整流器、SMA
Chip1Stop:
Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
TME:
Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; DO214AC
Verical:
Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
Newark:
# VISHAY S1J-E3/61T Standard Power Diode, 600 V, 1 A, Single, 1.1 V, 1.8 µs, 40 A
额定电压DC 600 V
额定电流 1.00 A
电容 12.0 pF
输出电流 ≤1.00 A
负载电流 1 A
正向电压 1.1 V
极性 Standard
反向恢复时间 1.8 µs
正向电流 1 A
最大正向浪涌电流(Ifsm) 40 A
正向电压Max 1.1 V
正向电流Max 1 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AC
长度 4.5 mm
宽度 2.79 mm
高度 2.087 mm
封装 DO-214AC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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S1J-E3/61T Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
S1D-E3/61T 威世 | 类似代替 | S1J-E3/61T和S1D-E3/61T的区别 |
S1J-E3/51T 威世 | 类似代替 | S1J-E3/61T和S1J-E3/51T的区别 |
MRA4005T3G 安森美 | 功能相似 | S1J-E3/61T和MRA4005T3G的区别 |