STGE50NB60HD参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGE50NB60HD概述

N沟道50A - 600V ISOTOP的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 50A - 600V ISOTOP PowerMESH IGBT

IGBT 模块 - 单路 600 V 100 A 300 W 底座安装 ISOTOP

得捷:
IGBT MOD 600V 100A 300W ISOTOP

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 4-Pin ISOTOP

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 4-Pin ISOTOP

STGE50NB60HD中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 50.0 A

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 4.5nF @25V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

高度 9.1 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGE50NB60HD

型号： STGE50NB60HD

描述：N沟道50A - 600V ISOTOP的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 50A - 600V ISOTOP PowerMESH IGBT