SST175-T1-E3

SST175-T1-E3图片1
SST175-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 125 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 350 mW

栅源击穿电压 30 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SST175-T1-E3
描述:MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3

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