SST201-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SST201-T1-E3概述

VISHAY SST201-T1-E3 晶体管, JFET, JFET, -40 V, 200 µA, 1 mA, -1.5 V, TO-236, JFET

The is a N-channel JFET with low cut-off voltage and high input impedance. It is excellent for battery powered equipment and low current amplifiers.

SST201-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

击穿电压 -40.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

漏源击穿电压 -300 mV

栅源击穿电压 -1.50 V

连续漏极电流Ids 1.00 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 TO-236

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用电源管理, 音频, Power Management, Audio

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SST201-T1-E3

型号： SST201-T1-E3

描述：VISHAY SST201-T1-E3 晶体管, JFET, JFET, -40 V, 200 µA, 1 mA, -1.5 V, TO-236, JFET

替代型号SST201-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SST201-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
MMBFJ201 飞兆/仙童	功能相似	SST201-T1-E3和MMBFJ201的区别
MMBFJ202 飞兆/仙童	功能相似	SST201-T1-E3和MMBFJ202的区别
BSR58 飞兆/仙童	功能相似	SST201-T1-E3和BSR58的区别