SMUN5215T1G概述
数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = ？ K + Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = k
- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 202 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
立创商城:
SMUN5215T1G
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 SS SC70 BR XSTR NPN 50V
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
SMUN5215T1G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.31 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SMUN5215T1G
型号： SMUN5215T1G
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = ？ K + Digital Transistors BRT R1 = 10 k, R2 = k