SS9012HBU参数规格_中文资料_数据手册PDF

SS9012HBU概述

Trans GP BJT PNP 20V 0.5A 3Pin TO-92 Bulk

Bipolar BJT Transistor PNP 20V 500mA 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 20V 0.5A TO92-3

艾睿:
Trans GP BJT PNP 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk

Verical:
Trans GP BJT PNP 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk

Win Source:
TRANS PNP 20V 0.5A TO-92

SS9012HBU中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 0.625 W

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 144 @50mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 202

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

宽度 3.93 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SS9012HBU

型号： SS9012HBU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans GP BJT PNP 20V 0.5A 3Pin TO-92 Bulk

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替代型号SS9012HBU

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